公开号：101159295
发明人：耿新华;韩晓艳;张晓丹;赵 颖;侯国付;魏长春;孙 健;张德坤
地 址：300071天津市南开区卫津路94号
本发明公开了一种高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法，首先利用超高频等离子体增强化学气相沉积方法，控制辉光功率和硅烷浓度，采用第一沉积速率在P层上沉积第一本征微晶硅薄膜层；然后在等离子体辉光不灭的情况下，调节辉光功率和硅烷浓度，采用第二沉积速率在第一本征本征微晶硅薄膜上生长形成第二本征微晶硅薄膜层，所述的第一沉积速率小于所述的第二沉积速率。本发明首先通过采用较低的辉光功率和较小的硅烷浓度，达到用较低沉积速率在P 层上沉积，以获得低缺陷态高晶化的本征微晶硅薄膜层，进而提高电池效率。
来源：中国新能源网