公开号：101159298
发明人：果世驹;聂洪波;王延来;王义民;杨 霞
地 址：100083北京市海淀区学院路30号
一种制备CuInSe2薄膜太阳能电池富In光吸收层的方法，涉及半导体CuInSe2薄膜的制备。本方法采用涂敷-烧结工艺，选用Cu-In合金、硒化铟和Se粉作为原料，按照 Cu∶In∶Se＝1∶1.1～1.25∶2～2.2的摩尔比混合Cu-In合金、硒化铟和Se粉，球磨混合物36～ 72小时，形成黑色的前驱体浆料；将浆料涂敷在金属钼箔或者金属钛箔基体上形成前驱体薄膜，低温干燥；对干燥后前驱体薄膜施加10～300MPa的压强使其致密，然后在H2 气氛或N2气氛或真空中热处理。本方法可以精确控制前驱体薄膜中的化学成分，确保富 In的CuInSe2半导体薄膜太阳电池光吸收层的制备，更易于形成成分均匀、结构致密、表面平整的吸收层，并且烧结是在无毒的气氛中进行，操作上安全实用。
来源：中国新能源网